Prindi leht
IRLR2705TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRLR2705TRPBF
Tellimiskood2468054RL
Teise nimegaSP001578864
Tehniliste andmete leht
1 980 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,436 € |
| 500+ | 0,337 € |
| 1000+ | 0,305 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
48,60 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRLR2705TRPBF
Tellimiskood2468054RL
Teise nimegaSP001578864
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The IRLR2705TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount application.
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
Rakendused
Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (3)
Alternatiivid tootele IRLR2705TRPBF
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0002
Toote jälitatavus