Prindi leht
IRG4PF50WD
IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei ladustata enam
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRG4PF50WD
Tellimiskood3157118
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current51A
Collector Emitter Saturation Voltage2.25V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max900V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternatiivid tootele IRG4PF50WD
Leiti 1 toodet
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
51A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.25V
Collector Emitter Voltage Max
900V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 3 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS-ile vastav:Ei
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Ei
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006