Prindi leht
IRG4BC30UDPBF
IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRG4BC30UDPBF
Tellimiskood8650411
Teise nimegaSP001547712
Tehniliste andmete leht
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRG4BC30UDPBF
Tellimiskood8650411
Teise nimegaSP001547712
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current23A
Collector Emitter Saturation Voltage2.52V
Power Dissipation100W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Toote ülevaade
The IRG4BC30UDPBF is a 600V Ultrafast 8 to 60kHz copack IGBT with soft recovery diode. Hard switching process optimized for high operating frequency. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. HEXFRED diodes are optimized for performance and use in bridge configurations.
Rakendused
Power Management, Alternative Energy, Industrial
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
23A
Power Dissipation
100W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.52V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seotud tooted
Leiti 3 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Mexico
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Mexico
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Dec-2015)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002041