Prindi leht
IRFR5505TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRFR5505TRPBF
Tellimiskood2468041
Teise nimegaSP001573294
Tehniliste andmete leht
71 883 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,060 € |
| 10+ | 0,828 € |
| 100+ | 0,584 € |
| 500+ | 0,483 € |
| 1000+ | 0,424 € |
| 5000+ | 0,385 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,06 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRFR5505TRPBF
Tellimiskood2468041
Teise nimegaSP001573294
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation57W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The IRFR5505TRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Halogen-free
Rakendused
Automotive, Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00042
Toote jälitatavus