Prindi leht
IRFB4115PBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRFB4115PBF
Tellimiskood1698286
TootevalikHEXFET Series
Teise nimegaSP001565902
Tehniliste andmete leht
5 998 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 1,800 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,000 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,68 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRFB4115PBF
Tellimiskood1698286
TootevalikHEXFET Series
Teise nimegaSP001565902
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The IRFB4115PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Halogen-free
Rakendused
Power Management
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Mexico
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Mexico
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002