Prindi leht
IRF3205PBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRF3205PBF
Tellimiskood1704017
TootevalikHEXFET Series
Teise nimegaSP001559536
Tehniliste andmete leht
41 454 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,250 € |
| 10+ | 1,210 € |
| 100+ | 0,686 € |
| 500+ | 0,586 € |
| 1000+ | 0,530 € |
| 5000+ | 0,476 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,25 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIRF3205PBF
Tellimiskood1704017
TootevalikHEXFET Series
Teise nimegaSP001559536
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The IRF3205PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Advanced HEXFET® power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Fast switching
- ±20V gate-source voltage
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Alternatiivid tootele IRF3205PBF
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00204
Toote jälitatavus