Prindi leht
IPG20N10S4L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N10S4L35ATMA1
Tellimiskood4319091
TootevalikOptiMOS T2 Series
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 14 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 5000+ | 0,469 € |
| 15000+ | 0,460 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 5000
Mitmekordne: 5000
2 345,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N10S4L35ATMA1
Tellimiskood4319091
TootevalikOptiMOS T2 Series
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.029ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.029ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS T2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000134
Toote jälitatavus