Prindi leht
IPG20N06S4L11ATMA2
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N06S4L11ATMA2
Tellimiskood4384154
TootevalikOptiMOS-T2 Series
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 14 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 5000+ | 0,607 € |
| 15000+ | 0,595 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 5000
Mitmekordne: 5000
3 035,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N06S4L11ATMA2
Tellimiskood4384154
TootevalikOptiMOS-T2 Series
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel9500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9500µohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
9500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
OptiMOS-T2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
9500µohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000336
Toote jälitatavus