Prindi leht
IPG20N04S412ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N04S412ATMA1
Tellimiskood2725853
TootevalikOptiMOS T2 Series
Teise nimegaIPG20N04S4-12, SP000705560
Tehniliste andmete leht
4 671 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 0,866 € |
| 10+ | 0,746 € |
| 100+ | 0,570 € |
| 500+ | 0,435 € |
| 1000+ | 0,355 € |
| 5000+ | 0,348 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,87 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N04S412ATMA1
Tellimiskood2725853
TootevalikOptiMOS T2 Series
Teise nimegaIPG20N04S4-12, SP000705560
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0111ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0111ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel41W
Power Dissipation P Channel41W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel normal level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0111ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
41W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0111ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000171