Prindi leht
IPG20N04S408ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N04S408ATMA1
Tellimiskood2725852RL
TootevalikOptiMOS T2 Series
Teise nimegaIPG20N04S4-08, SP000705582
Tehniliste andmete leht
3 225 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,879 € |
| 500+ | 0,700 € |
| 1000+ | 0,595 € |
| 5000+ | 0,544 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
92,90 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPG20N04S408ATMA1
Tellimiskood2725852RL
TootevalikOptiMOS T2 Series
Teise nimegaIPG20N04S4-08, SP000705582
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.007ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.007ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.007ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.007ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000389
Toote jälitatavus