Prindi leht
IPAN80R360P7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Through Hole
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPAN80R360P7XKSA1
Tellimiskood2986355
TootevalikCoolMOS P7
Teise nimegaIPAN80R360P7, SP001702158
Tehniliste andmete leht
470 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 2,640 € |
| 10+ | 1,280 € |
| 100+ | 1,160 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
2,64 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIPAN80R360P7XKSA1
Tellimiskood2986355
TootevalikCoolMOS P7
Teise nimegaIPAN80R360P7, SP001702158
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.31ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.31ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Alternatiivid tootele IPAN80R360P7XKSA1
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00026
Toote jälitatavus