Prindi leht
IMZA120R007M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMZA120R007M1HXKSA1
Tellimiskood3958244
TootevalikCoolSiC Trench Series
Teise nimegaSP005425973, IMZA120R007M1H
Tehniliste andmete leht
261 Laos
480 Varusid saab nüüd reserveerida
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 48,500 € |
| 5+ | 41,520 € |
| 10+ | 34,530 € |
| 50+ | 33,840 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
48,50 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMZA120R007M1HXKSA1
Tellimiskood3958244
TootevalikCoolSiC Trench Series
Teise nimegaSP005425973, IMZA120R007M1H
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation750W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
225A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
750W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Tehnilised dokumendid (1)
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus