Prindi leht
IMT65R020M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMT65R020M2HXUMA1
Tellimiskood4677108
TootevalikCoolSiC Gen 2 Series
Teise nimegaIMT65R020M2H, SP006051123
Tehniliste andmete leht
2 000 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 13,000 € |
| 5+ | 11,360 € |
| 10+ | 9,710 € |
| 50+ | 9,060 € |
| 100+ | 8,400 € |
| 250+ | 8,230 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
13,00 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMT65R020M2HXUMA1
Tellimiskood4677108
TootevalikCoolSiC Gen 2 Series
Teise nimegaIMT65R020M2H, SP006051123
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation440W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
105A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
440W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus