Prindi leht
IMDQ65R015M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 94 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMDQ65R015M2HXUMA1
Tellimiskood4667119RL
Teise nimegaIMDQ65R015M2H, SP006051119
Tehniliste andmete leht
100 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 12,210 € |
| 250+ | 12,100 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 150
Mitmekordne: 1
1 831,50 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMDQ65R015M2HXUMA1
Tellimiskood4667119RL
Teise nimegaIMDQ65R015M2H, SP006051119
Tehniliste andmete leht
Continuous Drain Current Id94A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0132ohm
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation499W
Operating Temperature Max175°C
Tehnilised andmed
Continuous Drain Current Id
94A
Drain Source On State Resistance
0.0132ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
499W
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001