Prindi leht
IMBG65R033M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMBG65R033M2HXTMA1
Tellimiskood4640388
TootevalikCoolSiC Gen 2 Series
Teise nimegaIMBG65R033M2H, SP006051145
Tehniliste andmete leht
76 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 8,610 € |
| 5+ | 7,800 € |
| 10+ | 6,800 € |
| 50+ | 5,740 € |
| 100+ | 5,370 € |
| 250+ | 5,260 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
8,61 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIMBG65R033M2HXTMA1
Tellimiskood4640388
TootevalikCoolSiC Gen 2 Series
Teise nimegaIMBG65R033M2H, SP006051145
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus