Prindi leht
IKFW40N65DH5XKSA1
IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIKFW40N65DH5XKSA1
Tellimiskood4048475
Teise nimegaSP001728800, IKFW40N65DH5
Tehniliste andmete leht
203 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 5,600 € |
| 10+ | 5,350 € |
| 100+ | 2,750 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
5,60 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIKFW40N65DH5XKSA1
Tellimiskood4048475
Teise nimegaSP001728800, IKFW40N65DH5
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current53A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation106W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleHSIP247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
53A
Power Dissipation
106W
Transistor Case Style
HSIP247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.01134
Toote jälitatavus