Prindi leht
IHW30N160R2FKSA1
IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIHW30N160R2FKSA1
Tellimiskood1832388
Teise nimegaIHW30N160R2, SP000273701
Tehniliste andmete leht
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIHW30N160R2FKSA1
Tellimiskood1832388
Teise nimegaIHW30N160R2, SP000273701
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation312W
Collector Emitter Voltage Max1.6kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Toote ülevaade
The IHW30N160R2 is a TrenchStop® Reverse Conducting (RC-) IGBT with monolithic body diode with very low forward voltage and body diode clamps negative voltages. Qualified according to JEDEC for target applications.
- Very low forward voltage
- Low EMI
- Tighten parameter distribution
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Better thermal management
Rakendused
Power Management
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
312W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.6kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 4 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2020)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00542
Toote jälitatavus