Prindi leht
IGT65R045D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGT65R045D2ATMA1
Tellimiskood4695747RL
Teise nimegaIGT65R045D2, SP005965880
Tehniliste andmete leht
1 470 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 7,120 € |
| 50+ | 6,380 € |
| 100+ | 5,890 € |
| 250+ | 5,770 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
76,20 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGT65R045D2ATMA1
Tellimiskood4695747RL
Teise nimegaIGT65R045D2, SP005965880
Tehniliste andmete leht
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus