Prindi leht
IGLT65R110D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGLT65R110D2ATMA1
Tellimiskood4573846RL
Teise nimegaIGLT65R110D2, SP005934583
Tehniliste andmete leht
Saadaval tellimiseks
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 2,370 € |
| 500+ | 2,110 € |
| 1000+ | 1,800 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
242,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGLT65R110D2ATMA1
Tellimiskood4573846RL
Teise nimegaIGLT65R110D2, SP005934583
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge2.4nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
15A
Typical Gate Charge
2.4nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus