Prindi leht
IGLD65R110D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGLD65R110D2AUMA1
Tellimiskood4680828RL
Teise nimegaIGLD65R110D2, SP005918714
Tehniliste andmete leht
1 960 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 3,190 € |
| 500+ | 2,860 € |
| 1000+ | 2,640 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
324,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGLD65R110D2AUMA1
Tellimiskood4680828RL
Teise nimegaIGLD65R110D2, SP005918714
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge2.4nC
No. of Pins8Pins
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
2.4nC
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus