Prindi leht
IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGB110S10S1XTMA1
Tellimiskood4680814RL
Teise nimegaIGB110S10S1, SP005751575
Tehniliste andmete leht
3 940 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,986 € |
| 500+ | 0,827 € |
| 1000+ | 0,705 € |
| 5000+ | 0,645 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
103,60 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIGB110S10S1XTMA1
Tellimiskood4680814RL
Teise nimegaIGB110S10S1, SP005751575
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge3.4nC
No. of Pins4Pins
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00001
Toote jälitatavus