Prindi leht
IDD04SG60CXTMA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIDD04SG60CXTMA2
Tellimiskood2895616
TootevalikthinQ Gen III Series
Teise nimegaIDD04SG60C, SP001633156
Tehniliste andmete leht
13 775 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,900 € |
| 10+ | 1,360 € |
| 100+ | 1,100 € |
| 500+ | 0,913 € |
| 1000+ | 0,831 € |
| 5000+ | 0,763 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,90 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIDD04SG60CXTMA2
Tellimiskood2895616
TootevalikthinQ Gen III Series
Teise nimegaIDD04SG60C, SP001633156
Tehniliste andmete leht
Product RangethinQ Gen III Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge4.5nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Tehnilised andmed
Product Range
thinQ Gen III Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Total Capacitive Charge
4.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0003