Prindi leht
GS0650182LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
150 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 11,650 € |
| 5+ | 9,950 € |
| 10+ | 8,480 € |
| 50+ | 7,610 € |
| 100+ | 7,020 € |
| 250+ | 6,880 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
11,65 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrGS0650182LMRXUSA1
Tellimiskood4715944
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge4nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
18A
Typical Gate Charge
4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus