Prindi leht
F411MR12W2M1B76BOMA1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrF411MR12W2M1B76BOMA1
Tellimiskood3773229
TootevalikEasyPACK CoolSiC Trench
Teise nimegaSP005419343, F4-11MR12W2M1_B76
Tehniliste andmete leht
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrF411MR12W2M1B76BOMA1
Tellimiskood3773229
TootevalikEasyPACK CoolSiC Trench
Teise nimegaSP005419343, F4-11MR12W2M1_B76
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeQuad N Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0113ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyPACK CoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0113ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK CoolSiC Trench
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Hungary
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Hungary
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.453592
Toote jälitatavus