Prindi leht
EVAL2ED2106TOBO1
Evaluation Board, 2ED2106S06F, IGBT/MOSFET Gate Driver, Power Management
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
8 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 44,100 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
44,10 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrEVAL2ED2106TOBO1
Tellimiskood4354421
Tehniliste andmete leht
Silicon ManufacturerInfineon
Silicon Core Number2ED2106S06F
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeIGBT/MOSFET Gate Driver
Kit ContentsEvaluation Board 2ED2106S06F
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tehnilised andmed
Silicon Manufacturer
Infineon
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board 2ED2106S06F
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Silicon Core Number
2ED2106S06F
Application Sub Type
IGBT/MOSFET Gate Driver
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:84733080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Ei
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Ei
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2018)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001