Prindi leht
BSD840NH6327XTSA1
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSD840NH6327XTSA1
Tellimiskood2443479RL
Teise nimegaBSD840N H6327, SP000917654
Tehniliste andmete leht
74 755 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 50+ | 0,223 € |
| 250+ | 0,116 € |
| 1000+ | 0,0941 € |
| 5000+ | 0,0792 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
27,30 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSD840NH6327XTSA1
Tellimiskood2443479RL
Teise nimegaBSD840N H6327, SP000917654
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.27ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The BSD840N H6327 is a N-channel Small Signal Transistor for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Rakendused
Industrial, Automotive, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Communications & Networking, Power Management
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.27ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.27ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000005