Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSC123N08NS3GATMA1
Tellimiskood1775469
Teise nimegaBSC123N08NS3 G, SP000443916
Tehniliste andmete leht
67 254 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
Kogus | |
---|---|
1+ | 1,280 € |
10+ | 0,853 € |
100+ | 0,649 € |
500+ | 0,510 € |
1000+ | 0,441 € |
5000+ | 0,420 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,28 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSC123N08NS3GATMA1
Tellimiskood1775469
Teise nimegaBSC123N08NS3 G, SP000443916
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation66W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The BSC123N08NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Rakendused
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000172