Prindi leht
BSC030P03NS3GAUMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSC030P03NS3GAUMA1
Tellimiskood2443466RL
Teise nimegaBSC030P03NS3 G, SP000442470
Tehniliste andmete leht
16 707 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 1,090 € |
| 500+ | 0,912 € |
| 1000+ | 0,801 € |
| 5000+ | 0,771 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
114,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBSC030P03NS3GAUMA1
Tellimiskood2443466RL
Teise nimegaBSC030P03NS3 G, SP000442470
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
Rakendused
Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management
Hoiatused
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnilised dokumendid (3)
Alternatiivid tootele BSC030P03NS3GAUMA1
Leiti 1 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0003
Toote jälitatavus