Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBFR740L3RHE6327XTSA1
Tellimiskood2480686
Teise nimegaBFR 740L3RH E6327, SP000252393
Tehniliste andmete leht
8 757 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
Kogus | |
---|---|
1+ | 0,485 € |
10+ | 0,351 € |
100+ | 0,307 € |
500+ | 0,273 € |
1000+ | 0,272 € |
5000+ | 0,267 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
0,48 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBFR740L3RHE6327XTSA1
Tellimiskood2480686
Teise nimegaBFR 740L3RH E6327, SP000252393
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4V
Transition Frequency47GHz
Power Dissipation160mW
Continuous Collector Current40mA
Transistor Case StyleTSLP
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min160hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Toote ülevaade
The BFR 740L3RH E6327 is a NPN wideband RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. It provides a transition frequency fT of 42GHz and is suited for low voltage applications from VHF to 12GHz. Due to its low power consumption the device is very energy efficient and well suited for mobile applications. It is housed in a very thin small leadless package ideal for modules.
- Very low-noise transistor
- High power gain
- Halogen-free
Rakendused
Industrial, RF Communications, Power Management
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
47GHz
Continuous Collector Current
40mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4V
Power Dissipation
160mW
Transistor Case Style
TSLP
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000006
Toote jälitatavus