Prindi leht
BFR182WH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 10 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 9000+ | 0,0411 € |
| 27000+ | 0,0398 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 9000
Mitmekordne: 9000
369,90 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBFR182WH6327XTSA1
Tellimiskood4318943
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation250mW
Continuous Collector Current35mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
35mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
250mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (3)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000048
Toote jälitatavus