Prindi leht
BFP650H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, SOT-343
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 10 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 3000+ | 0,161 € |
| 9000+ | 0,158 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 3000
Mitmekordne: 3000
483,00 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrBFP650H6327XTSA1
Tellimiskood4318878
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency42GHz
Power Dissipation500mW
Continuous Collector Current150mA
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
42GHz
Continuous Collector Current
150mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
500mW
Transistor Case Style
SOT-343
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001814
Toote jälitatavus