Prindi leht
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrAIMDQ75R016M1HXUMA1
Tellimiskood4295099RL
TootevalikCoolSiC Gen I Series
Teise nimegaAIMDQ75R016M1H, SP005545098
Tehniliste andmete leht
233 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 13,070 € |
| 50+ | 12,780 € |
| 100+ | 12,490 € |
| 250+ | 12,240 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
135,70 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrAIMDQ75R016M1HXUMA1
Tellimiskood4295099RL
TootevalikCoolSiC Gen I Series
Teise nimegaAIMDQ75R016M1H, SP005545098
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation384W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
384W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Malaysia
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0013
Toote jälitatavus