Prindi leht
BSS138DWQ-13
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
9 271 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 0,167 € |
| 500+ | 0,134 € |
| 1000+ | 0,107 € |
| 5000+ | 0,0929 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 5
21,70 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaDIODES INC.
Tootja toote nrBSS138DWQ-13
Tellimiskood3944011RL
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus