Prindi leht
SKM195GB066D
IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
5 Laos
16 Varusid saab nüüd reserveerida
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 122,130 € |
| 5+ | 113,320 € |
| 10+ | 102,970 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
122,13 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaSEMIKRON
Tootja toote nrSKM195GB066D
Tellimiskood2423691
Tehniliste andmete leht
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current265A
DC Collector Current265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Toote ülevaade
The SKM195GB066D is a SEMITRANS® 2 Trench IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and high short-circuit capability, self limiting to 6 x IC.
- Half-bridge switch
- Homogeneous Si
- Trench-gate technology
Rakendused
Power Management, Maintenance & Repair
Tehnilised andmed
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Slovak Republic
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.18