Prindi leht
BIDW75N65ES5
IGBT, 150 A, 1.42 V, 394 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
398 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 6,140 € |
| 5+ | 4,800 € |
| 10+ | 3,460 € |
| 50+ | 3,180 € |
| 100+ | 2,590 € |
| 250+ | 2,560 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
6,14 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaBOURNS
Tootja toote nrBIDW75N65ES5
Tellimiskood4350085
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage1.42V
Power Dissipation394W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
150A
Power Dissipation
394W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.42V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.001
Toote jälitatavus