Prindi leht
BPW34-FA
Photodiode, 60 °, 2 nA, 880 nm, DIP-2
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaAMS OSRAM GROUP
Tootja toote nrBPW34-FA
Tellimiskood1212740
Tehniliste andmete leht
No. of Pins2Pins
Diode Case StyleDIP
Wavelength of Peak Sensitivity880nm
Angle of Half Sensitivity ±60°
Dark Current2000pA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
Toote ülevaade
The BPW34-FA is a silicon PIN Photodiode with daylight filter. It especially suitable for application from 350 to 110nm wavelength and 60° of half angle.
- 20ns Typical Short Switching Time
- DIL Plastic Package with High Packing Density
- 2.65 x 2.65mm² Radiant Sensitive Area
- 50µA Photocurrent
Rakendused
Industrial, Motor Drive & Control, Security, Automotive
Tehnilised andmed
No. of Pins
2Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
880nm
Dark Current
2000pA
Operating Temperature Max
100°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
DIP
Angle of Half Sensitivity ±
60°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Great Britain
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000907