Prindi leht
TP70H300G4JSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 100+ | 1,200 € |
| 500+ | 0,983 € |
| 1000+ | 0,921 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 100
Mitmekordne: 1
125,00 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaRENESAS
Tootja toote nrTP70H300G4JSGB-TR
Tellimiskood4680957RL
TootevalikSuperGaN Series
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.312ohm
Typical Gate Charge5.4nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.312ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
8A
Typical Gate Charge
5.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus