Prindi leht
UF3C120040K3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
497 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 20,200 € |
| 5+ | 18,580 € |
| 10+ | 17,440 € |
| 50+ | 16,300 € |
| 100+ | 15,160 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
20,20 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrUF3C120040K3S
Tellimiskood4014241
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
429W
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0062