Prindi leht
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pin, 125 °C
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nr2SK879-GR(TE85L,F)
Tellimiskood4415888
Teise nimega2SK879-GR, 2SK879-GR(TE85L
Tehniliste andmete leht
Pakendivõimalused
Saadaval tellimiseks
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,507 € |
| 10+ | 0,345 € |
| 100+ | 0,236 € |
| 500+ | 0,192 € |
| 1000+ | 0,169 € |
| 5000+ | 0,127 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
2,54 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaTOSHIBA
Tootja toote nr2SK879-GR(TE85L,F)
Tellimiskood4415888
Teise nimega2SK879-GR, 2SK879-GR(TE85L
Tehniliste andmete leht
Gate Source Breakdown Voltage Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Max6.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max5V
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max125°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnilised andmed
Gate Source Breakdown Voltage Max
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
5V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Zero Gate Voltage Drain Current Max
6.5mA
Transistor Case Style
SOT-323
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Japan
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000006
Toote jälitatavus