Prindi leht
1N4935G
Standard Recovery Diode, 200 V, 1 A, Single, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
14 571 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 5+ | 0,352 € |
| 10+ | 0,239 € |
| 100+ | 0,126 € |
| 500+ | 0,0867 € |
| 1000+ | 0,063 € |
| 5000+ | 0,0465 € |
Hind:Each
Minimaalne: 5
Mitmekordne: 5
1,76 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaTAIWAN SEMICONDUCTOR
Tootja toote nr1N4935G
Tellimiskood2677323
Tehniliste andmete leht
Repetitive Peak Reverse Voltage200V
Average Forward Current1A
Diode ConfigurationSingle
Forward Voltage Max1.2V
Reverse Recovery Time200ns
Forward Surge Current30A
Operating Temperature Max150°C
Diode Case StyleDO-41 (DO-204AL)
No. of Pins2Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Tehnilised andmed
Repetitive Peak Reverse Voltage
200V
Diode Configuration
Single
Reverse Recovery Time
200ns
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
Average Forward Current
1A
Forward Voltage Max
1.2V
Forward Surge Current
30A
Diode Case Style
DO-41 (DO-204AL)
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele 1N4935G
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (17-Jan-2023)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.00034