Prindi leht
SCT4036KW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
865 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 10+ | 11,170 € |
| 50+ | 10,280 € |
| 100+ | 9,100 € |
| 250+ | 8,920 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 10
Mitmekordne: 1
116,70 € (KM-ta)
Sellele tootele lisatakse ümberkerimise tasu 5,00 €
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaROHM
Tootja toote nrSCT4036KW7TL
Tellimiskood3935393RL
Tehniliste andmete leht
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnilised andmed
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (23-Jan-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002214