Prindi leht
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
registreerige oma huvi siin
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 245,480 € |
| 5+ | 240,570 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
245,48 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrSNXH800H120L7QDSG
Tellimiskood4750182
Tehniliste andmete leht
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current800A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised andmed
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
800A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Vajab kinnitamist
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (25-Jun-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus