Prindi leht
Saadaval tellimiseks
Tootja standardne tarneaeg: 11 nädal(at)
Teavitage mind, kui toode on uuesti laos
| Kogus | |
|---|---|
| 2500+ | 0,409 € |
| 7500+ | 0,380 € |
Hind:Each (Supplied on Full Reel)
Minimaalne: 2500
Mitmekordne: 2500
1 022,50 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaONSEMI
Tootja toote nrFQD17P06TM
Tellimiskood2985490
TootevalikQFET
Tehniliste andmete leht
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnilised andmed
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (2)
Alternatiivid tootele FQD17P06TM
Leiti 3 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:China
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Y-Ex
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:Lead (27-Jun-2024)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000426
Toote jälitatavus