Prindi leht
IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
191 Laos
Vajate rohkem?
Tarneaeg 1–2 tööpäeva
Tellige enne kella 17:00 tavaline saadetis
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 42,260 € |
| 5+ | 37,030 € |
| 10+ | 31,800 € |
| 50+ | 30,000 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
42,26 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaLITTELFUSE
Tootja toote nrIXFN210N20P
Tellimiskood3930242
Tehniliste andmete leht
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd1.07kW
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Toote ülevaade
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tehnilised andmed
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
188A
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
-
Tehnilised dokumendid (2)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:South Korea
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:To Be Advised
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001
Toote jälitatavus