Prindi leht
IXYH50N65C3D1
IGBT, 50 A, 2.1 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXYH50N65C3D1
Tellimiskood2470020
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnilised dokumendid (3)
Seotud tooted
Leiti 2 toodet
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.006