Prindi leht
IXA12IF1200PC
IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Ei toodeta enam
Tooteteave
TootjaIXYS SEMICONDUCTOR
Tootja toote nrIXA12IF1200PC
Tellimiskood1829716
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation85W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-263AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
20A
Power Dissipation
85W
Transistor Case Style
TO-263AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:United States
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.002