Prindi leht
IKD06N60RATMA1
IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIKD06N60RATMA1
Tellimiskood1832340
Teise nimegaIKD06N60R , SP000964628
Tehniliste andmete leht
1 154 Laos
Vajate rohkem?
Ekspresstarne 1–2 tööpäeva jooksul
Tellige enne kella 17:00
Tasuta standardtarne
tellimustele alates 0,00 €
Täpsed tarneajad arvutatakse kassas
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 1,210 € |
| 10+ | 0,755 € |
| 100+ | 0,499 € |
| 500+ | 0,396 € |
| 1000+ | 0,355 € |
| 5000+ | 0,323 € |
Hind:Each
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
1,21 € (KM-ta)
tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrIKD06N60RATMA1
Tellimiskood1832340
Teise nimegaIKD06N60R , SP000964628
Tehniliste andmete leht
Continuous Collector Current6A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation100W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Continuous Collector Current
6A
Power Dissipation
100W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Philippines
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Jah
RoHS
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.0003
Toote jälitatavus