Prindi leht
GS61004BMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 38 A, 0.022 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Surface Mount
Pilt on illustreeriv. Lugege toote kirjeldust.
Saadaval tellimiseks
registreerige oma huvi siin
| Kogus | |
|---|---|
| 1+ | 3,900 € |
| 5+ | 3,690 € |
| 10+ | 3,460 € |
| 50+ | 3,340 € |
Hind:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimaalne: 1
Mitmekordne: 1
3,90 € (KM-ta)
Lisage tootenr/ /tootemärkus
Lisatud teie tellimuse kinnitusele, arvele ja väljastusteatele ainult sellel tellimusel.
See arv lisatakse tellimuse kinnitusele, arvele, väljastusteatele, veebipõhisele kinnitusmeilile ja tootesildile.
Tooteteave
TootjaINFINEON
Tootja toote nrGS61004BMRXUSA1
Tellimiskood4715930
Tehniliste andmete leht
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Typical Gate Charge3.3nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised andmed
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
3.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnilised dokumendid (1)
Seadusandlus ja keskkonnateave
Päritoluriik:
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsessPäritoluriik:Thailand
Riik, kus toimus viimane oluline tootmisprotsess
Tariifi nr:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-ile vastav:Jah
RoHS
Vastab RoHS-i ftalaatide nõuetele:Vajab kinnitamist
Väga ohtlik aine:No SVHC (21-Jan-2025)
Laadige alla vastavussertifikaat
Toote vastavussertifikaat
Kaal (kg):.000001